在半導(dǎo)體制造過程中，濕法清洗是關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，主要用于去除硅片表面上的顆粒、有機(jī)物、金屬離子及工藝殘留。然而，由于工藝復(fù)雜、材料敏感，濕法清洗中常見一系列缺陷問題，若控制不當(dāng)，將嚴(yán)重影響后續(xù)制程良率和器件性能。

顆粒殘留是濕法清洗中常見的缺陷之一。其原因可能來自多個(gè)環(huán)節(jié)，包括清洗液本身不潔、過濾系統(tǒng)失效、設(shè)備管道二次污染、氣液界面擾動(dòng)帶入空氣微粒，甚至是水洗干燥不充分造成顆粒再沉積。此外，若清洗液中的表面張力過大，也容易在沖洗過程中將顆粒壓附在晶圓表面，難以去除。

金屬離子污染也是核心問題之一。清洗過程中若使用的化學(xué)品純度不夠，或清洗槽內(nèi)壁、泵管系統(tǒng)存在析出，就可能引入Cu、Fe、Zn等金屬離子。這類污染即便濃度極低，也可能影響器件閾值電壓、漏電流等電性參數(shù)。尤其在制程節(jié)點(diǎn)，對(duì)痕量金屬的控制要求已接近ppt（萬億分之一）級(jí)別。

圖形腐蝕或膜層損傷多發(fā)生在清洗液濃度控制不當(dāng)或時(shí)間過長(zhǎng)時(shí)。比如使用過強(qiáng)的酸性或堿性清洗劑，可能對(duì)金屬層、低k材料、鈍化膜等造成腐蝕，導(dǎo)致線寬變化或絕緣失效。此外，清洗后沖洗不徹底，殘留的化學(xué)成分在后續(xù)熱處理過程中也可能加速材料降解。

表面水痕與干燥斑點(diǎn)往往與漂洗與干燥階段有關(guān)。超純水漂洗時(shí)間不足、水溫控制不穩(wěn)定、干燥氣流分布不均或潔凈度不達(dá)標(biāo)，均可能在晶圓表面留下斑點(diǎn)，影響光刻膠涂布均勻性和成膜質(zhì)量。部分材料還可能因水痕誘發(fā)微裂紋或電荷積聚。

清洗不均或邊緣效果差則多與設(shè)備結(jié)構(gòu)、晶圓旋轉(zhuǎn)方式、化學(xué)品流動(dòng)路徑有關(guān)。若流體分布不均，易在晶圓中心和邊緣形成“清洗死角”，造成局部污染殘留。

半導(dǎo)體濕法清洗中的缺陷通常是設(shè)備、材料、工藝三者協(xié)同失控的結(jié)果。要提升清洗良率，從清洗液純度、設(shè)備潔凈設(shè)計(jì)、配方優(yōu)化、工藝參數(shù)控制及環(huán)境監(jiān)測(cè)等多方面入手，形成系統(tǒng)性的穩(wěn)定機(jī)制。