半導體清洗材料：半導體的特性！鯤鵬精密智能下面給大家講一講吧！

　　半導體材料是一種功能材料，在室溫下其導電性介于導電材料和絕緣材料之間。電導率是通過電子和空穴載流子實現(xiàn)的，室溫下電阻率一般在１０－５～１０７歐姆·ｍ之間，通常隨溫度升高電阻率增大；如果加入活性雜質或用光或射線照射，電阻率可以改變幾個數(shù)量級。

　　此外，半導體材料的電導率對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，因此可以制作各種敏感元件進行信息轉換。

　　半導體材料的特征參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。隙寬由半導體的電子態(tài)和原子構型決定，反映了材料原子中價電子從束縛態(tài)激發(fā)到自由態(tài)所需的能量。電阻率和載流子遷移率反映了材料的電導率。

　　非平衡載流子壽命反映了半導體材料在外界作用（如光或電場）下內部載流子從非平衡態(tài)過渡到平衡態(tài)的弛豫特性。位錯是晶體中常見的缺陷之一。位錯密度用于測量半導體單晶材料的晶格完整性，但對于非晶半導體材料，沒有這個參數(shù)。

　　半導體材料的特征參數(shù)不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差異，還能反映各種半導體材料甚至同一材料在不同條件下的量值差異。

　　半導體材料的特征參數(shù)與材料中的雜質原子和晶體缺陷密切相關。例如，根據(jù)雜質原子的類型和數(shù)量、載流子遷移率和非平衡載流子壽命，電阻率可能有很大的變化

　　它一般隨雜質原子和晶體缺陷的增加而降低。另一方面，半導體材料的各種半導體性質也離不開各種雜質原子的作用。對于晶體缺陷，除了在一般情況下盡可能地減少和消 除外，在某些情況下還應將其控制在一定程度上，甚至在存在晶體缺陷時，經過適當處理后加以利用。