半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需材料：半導(dǎo)體有什么特性？鯤鵬精密智能科技下面就給大家講講吧!

半導(dǎo)體材料是室溫下電導(dǎo)率介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的功能材料。電導(dǎo)率是由電子和空穴載流子實現(xiàn)的。室溫下電阻率一般在10-5 ~ 107歐姆·m之間，通常隨溫度升高而增大。如果加入活性雜質(zhì)，或者使用光或輻射，電阻率會發(fā)生幾個數(shù)量級的變化。

此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對外界條件(如熱、光、電、磁等因素)的變化非常敏感，因此可以制作多種敏感元器件進(jìn)行信息轉(zhuǎn)換。

半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)包括帶隙寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。隙寬由半導(dǎo)體的電子態(tài)和原子構(gòu)型決定，反映了材料原子中從束縛態(tài)激發(fā)價電子到自由態(tài)所需的能量。電阻率和載流子遷移率反映了材料的導(dǎo)電性。非平衡載流子壽命反映了半導(dǎo)體材料內(nèi)部載流子在外力作用(如光或電場)下從非平衡態(tài)躍遷到平衡態(tài)的弛豫特性。位錯是晶體中非常常見的缺陷之一。位錯密度是用來測量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的參數(shù)，但對于非晶半導(dǎo)體材料，該參數(shù)是不可用的。

半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)不僅可以反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料的差異，還可以反映各種半導(dǎo)體材料甚至同一材料在不同條件下的量級差異。

半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)與雜質(zhì)原子和晶體缺陷密切相關(guān)。例如，電阻率可以根據(jù)雜質(zhì)原子的類型和數(shù)量、載流子遷移率和非平衡載流子壽命而發(fā)生很大的變化它一般隨著雜質(zhì)原子和晶體缺陷的增加而降低。另一方面，半導(dǎo)體材料的各種半導(dǎo)體性質(zhì)也離不開各種雜質(zhì)原子的作用。對于晶體缺陷，除了在一般情況下盡可能的減少和去掉晶體缺陷外，在一定的情況下也要控制到一定程度，甚至在晶體缺陷存在時進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚砗笤偌右岳谩?/p>